Pembersihan wafer merujuk kepada proses menggunakan kaedah kimia atau fizikal untuk menghilangkan bahan cemar dan oksida dari permukaan wafer semasa pembuatan litar bersepadu, untuk memenuhi keperluan kebersihan permukaan wafer. Prinsip pembersihan wafer adalah untuk menghapuskan pelbagai kekotoran tanpa merosakkan wafer.
Terdapat empat mekanisme utama untuk mengeluarkan zarah: pembubaran, penguraian oksidatif, penolakan elektrik antara zarah dan permukaan wafer silikon, dan sedikit kakisan permukaan wafer silikon.
Untuk penyingkiran zarah logam, penyelesaian SC-2 atau penyelesaian HPM biasanya digunakan untuk mengurangkan kandungan logam pada permukaan wafer. Penyelesaian SC-2 menjalani penghabluran, yang boleh meningkatkan bilangan zarah pada permukaan wafer selepas pembersihan. Oleh itu, HF boleh digunakan bukannya HCl, atau O3 yang digabungkan dengan HF boleh digunakan dan bukannya penyelesaian SC-2 untuk menghapuskan zarah logam dengan berkesan.
Untuk bahan pencemar organik, penyelesaian SPM atau teknologi cucian kering UV/ozon biasanya digunakan untuk penyingkiran.
Selepas pembersihan basah, wafer mesti dikeringkan dengan teliti untuk memastikan tiada tanda air di permukaan sebelum memasuki proses seterusnya. Tiga mod pengeringan yang paling biasa yang ada sekarang adalah pengeringan berputar, pengeringan Marangoni, dan pengeringan atomisasi isopropanol panas.
