Proses pembuatan wafer cip CMOS 200mm biasa.
Pemendapan wap kimia adalah teknik yang digunakan dalam pembuatan peranti mikroelektronik untuk mendepositkan filem nipis, yang mungkin bahan dielektrik atau semikonduktor. Teknologi pemendapan wap fizikal menggunakan gas lengai untuk memberi kesan kepada sasaran sputtering dan mendepositkan bahan yang dikehendaki di permukaan wafer. Persekitaran suhu dan vakum yang tinggi di dalam ruang reaksi proses boleh menyebabkan atom -atom logam ini membentuk bijirin, yang kemudiannya boleh dipola dan terukir untuk mendapatkan litar konduktif yang dikehendaki.
Pembangunan optik adalah proses menukar grafik dari photomask ke filem nipis. Pembangunan optik umumnya termasuk langkah -langkah seperti salutan photoresist, penaik, penjajaran cahaya, pendedahan, dan pembangunan. Etching kering adalah kaedah etsa yang paling biasa digunakan, yang menggunakan gas sebagai medium etsa dan plasma utama untuk memacu tindak balas. Etching adalah penyingkiran bahan yang tidak diingini dari permukaan.
Penggilap mekanikal kimia (CMP) adalah teknologi yang menggabungkan kedua -dua penggilap mekanikal dan asid - larutan asas penggilap kimia berasaskan, yang boleh menjadikan permukaan wafer agak rata dan memudahkan proses berikutnya. Semasa pengisaran, buburan pengisaran adalah antara wafer dan pad pengisaran. Faktor -faktor yang mempengaruhi CMP termasuk tekanan kepala pengisaran dan kebosanan wafer, kelajuan putaran, komposisi kimia buburan pengisaran, dan sebagainya.
