RINGKASAN EKSEKUTIF
Memilih sistem litografi tanpa topeng (tulis-langsung) ialah salah satu keputusan paling strategik untuk kemudahan bilik bersih termaju. Walaupun teknologi tanpa topeng menghapuskan kos perolehan photomask fizikal (menjimatkan ribuan dolar setiap semakan) dan mengecilkan kitaran pemulihan reka bentuk dari minggu ke minit, pemilihan peralatan sering mengalami salah faham asas spesifikasi teknikal.
Jurutera proses dan pasukan perolehan kerap menilai mesin berdasarkan semata-mata pada satu angka "saiz ciri minimum" pada lembaran data vendor. Walau bagaimanapun, dalam fizik fotolitografi, Dimensi Kritikal (CD) terpencil dan pic berkala Garis/Ruang Minimum (L/S) yang padat mewakili rejim optik yang berbeza sepenuhnya:
• Dimensi Kritikal (CD) mentakrifkan ciri terpencil yang paling sempit (seperti get transistor terpencil atau jalur sesentuh) yang sistem optik boleh dedahkan pada photoresist.
• Talian/Ruang Minimum (L/S) mentakrifkan tatasusunan berkala talian 1:1 dan parit berulang terkecil (seperti jeriji optik padat atau bas intersambung berketumpatan tinggi-tinggi) yang boleh dikosongkan oleh sistem tanpa herotan penjembatan, scumming atau kehampiran.
Mesin yang mampu mencetak CD terpencil 0.4 μm mungkin memerlukan garis/ruang minimum 0.8 μm apabila mencorak tatasusunan berkala padat disebabkan oleh kesan kedekatan optik imej udara, rasuk-tindih dos dan menentang ambang kontras. Sebaliknya, sistem optik khusus yang direka bentuk untuk modulasi simetri 1:1 boleh menyelesaikan CD 0.5 μm serentak dengan garis/ruang 0.5 μm.
Panduan ini menyediakan rangka kerja kejuruteraan yang rapi untuk menilai-sistem litografi tanpa topeng Tech (MLM 100, MLM 200, MLM 400 dan MLM 500) Nice terhadap geometri peranti anda yang tepat, menentang kimia, kedalaman fokus (DOF) dan keperluan pemprosesan bilik bersih.
1. PENGENALAN: KENAPA GEOMETRI MENDIKTI PILIHAN PERALATAN
Dalam bilik bersih fabrikasi mikro, sistem litografi tanpa topeng (juga dikenali sebagai litografi tulis-terus, unjuran peranti micromirror digital [DMD] atau sistem modulator cahaya spatial [SLM]) telah mengubah prototaip pantas, fabrikasi semikonduktor kompaun dan pembuatan volum rendah-ke-sederhana. Dengan menghapuskan krom fizikal-pada-topeng foto kuarza, pasukan kejuruteraan boleh mengulang reka letak reka bentuk (fail GDSII atau OASIS) dalam masa nyata.
Walau bagaimanapun, memilih mesin yang betul memerlukan melihat melepasi tuntutan pemasaran peringkat-permukaan. Apabila bakal pembeli bertanya tentang keupayaan peralatan, pertanyaan yang paling biasa ialah: "Apakah resolusi mesin ini?"
Dalam litografi pengeluaran, "resolusi" bukanlah satu nombor. Enjin optik berkelakuan berbeza apabila mendedahkan satu garisan terpencil berbanding dengan mendedahkan ratusan garisan selari bersebelahan dengan jarak mikrometer. Memilih konfigurasi peralatan berdasarkan CD terpencil apabila peranti anda memerlukan garis parut yang padat sudah pasti membawa kepada kegagalan proses-mengakibatkan penyambungan talian, penentangan tapak atau nisbah bidang yang runtuh. Sebaliknya, terlalu-menentukan sistem untuk sub-separuh-garisan mikro padat apabila peranti anda hanya mengandungi 1.5 μm jejak penghalaan menambah perbelanjaan modal yang tidak perlu dan mengurangkan daya pemprosesan wafer secara drastik.
Untuk membuat pelaburan modal B2B yang dimaklumkan, pembeli mesti membedah perbezaan fizikal antara CD dan baris/ruang, memetakannya terus kepada spesifikasi peralatan vendor dan menilai pertukaran optik yang mendasari-off.
2. PERBEZAAN PENTING: CD TERASIL VS. GARIS/RUANG PADAT
Memahami sebab alat tulis langsung-optik melaporkan nilai yang berbeza untuk CD terpencil dan garis/ruang padat memerlukan pemeriksaan fizik pembentukan imej udara, kesan kedekatan optik dan kimia fotoresist.
2.1 Apakah Dimensi Kritikal (CD)?
Dalam metrologi semikonduktor, Dimensi Kritikal merujuk kepada unsur geometri yang paling sensitif dari segi dimensi dalam litar bersepadu atau peranti MEMS. Biasanya, CD merujuk kepada ciri terpencil:
• Jari get terpencil pada Gallium Nitride (GaN) High-Electron-Transistor Mobiliti (HEMT).
• Permatang pandu gelombang optik terpencil dalam litar fotonik bersepadu.
• Pembukaan sesentuh terpencil atau engsel julur dalam sensor MEMS.
Apabila mendedahkan garisan terpencil dalam sistem tanpa topeng, enjin optik menumpukan tenaga pendedahan pada petak fotoresist yang sempit. Disebabkan tiada corak terdedah bersebelahan dalam persekitaran terdekat, cahaya berselerak sesat (lobus-sisi pembelauan) meresap tanpa berbahaya ke dalam medan gelap. Dengan menentukur tepat dos pendedahan, apertur berangka dan masa pembangunan, sistem tulis-terus moden boleh mencapai nilai CD terpencil yang sangat halus-selalunya sehingga 0.4 μm.
2.2 Apakah Garis/Ruang Minimum (L/S)?
Sebaliknya, Garis/Ruang Minimum merujuk kepada tatasusunan padat garisan dan ruang berselang-seli, biasanya dikonfigurasikan dalam nisbah pic 1:1 (lebar garisan dan jurang parit yang sama):
• Kisi pembelauan optik, hablur fotonik dan cermin laser maklum balas teragih (DFB).
• Biosensor Elektrod Interdigitated (IDE) berketumpatan tinggi-dan tatasusunan mikroelektrod (MEA).
• Padang metalisasi padat dan laluan bas dalam pembungkusan lanjutan.
Apabila enjin optik menayangkan berbilang rasuk jarak rapat atau piksel micromirror termodulat, gelombang cahaya dari garisan bersebelahan bertindih disebabkan oleh pembelauan optik. Crosstalk optik ini mencipta "intensiti latar belakang" yang tinggi di dalam parit yang tidak terdedah antara garisan.
Kontras optik bagi imej udara ditakrifkan oleh Fungsi Pemindahan Modulasi (MTF):
Kontras=(I_maks - I_min) / (I_maks + I_min)
Apabila padang mengetatkan, I_min (keamatan dalam ruang gelap) meningkat dengan ketara melebihi sifar kerana kesan kedekatan optik. Jika kontras imej udara jatuh di bawah ambang kontras kimia photoresist, photoresist tidak dapat membezakan antara garis terdedah dan parit tidak terdedah. Ini menghasilkan kecacatan bilik bersih klasik:
• Resist Bridging: Pembangunan tidak lengkap di mana garisan bersebelahan bergabung bersama.
• Tahan Scumming: Sisa buih fotoresist yang tinggal di lantai parit.
• Corak Runtuh: Kegagalan mekanikal bagi garisan rintangan padat-aspek-tinggi semasa pengeringan pelarut.
2.3 Mengapa MLM 200 Mencapai CD 0.4 μm tetapi Garis/Ruang 0.8 μm?
Contoh utama perdagangan fizikal ini-dilihat dalam-model MLM 200 Nice:
• Dimensi Kritikal (Terpencil): 0.4 μm
• Garis/Ruang Minimum (Padat 1:1): 0.8 μm
Profil parameter ini biasa dalam-kepersisan tinggi-tulisan litografi. MLM 200 menggunakan enjin penghantaran optik terfokus yang mampu menulis ciri terpencil ultra{4}}halus sehingga 0.4 μm. Walau bagaimanapun, apabila meletakkan garisan bersebelahan-menyebelah-dalam grid 1:1 yang padat, limpahan jarak optik mewajibkan jarak minimum 0.8 μm untuk memastikan kontras optik yang mencukupi (I_maks berbanding I_min) untuk mengosongkan parit sepenuhnya tanpa merapatkan.
Untuk pembangun peranti kuasa RF yang mencorak get GaN HEMT 0.4 μm dengan jarak longkang-sumber luas (2 μm hingga 5 μm), MLM 200 adalah optimum. Walau bagaimanapun, jika pembangun yang sama cuba mencetak parut padat 0.4 μm / 0.4 μm (0.8 μm pic penuh), kontras optik akan merosot, yang membawa kepada rintangan penyambungan melainkan sistem optik yang dioptimumkan khusus untuk tatasusunan 1:1 padat dipilih.
2.4 Mengapa MLM 500 Mencapai CD 0.5 μm dan Garis/Ruang Simetri 0.5 μm?
Sebaliknya, ciri MLM 500 Nice{0}}Tech:
• Dimensi Kritikal (Terpencil): 0.5 μm
• Garis/Ruang Minimum (Padat 1:1): 0.5 μm
MLM 500 menggabungkan sistem unjuran-berangka-tinggi (tinggi-NA) yang dipasangkan dengan modulasi cahaya spatial lanjutan dan pampasan tepi sub-piksel. Konfigurasi optik ini mengekalkan kontras MTF yang tinggi walaupun pada frekuensi optik yang ketat, membolehkan keamatan cahaya menurun secara mendadak dalam kawasan jarak gelap. Akibatnya, garisan dan ruang padat 1:1 boleh diselesaikan secara simetri hingga 0.5 μm tanpa scumming atau merapatkan.
3. MATRIKS PEMILIHAN TEKNIKAL:-BARIS LITOGRAFI TANPA MASKLIR TEKNIK YANG BAGUS
Nice-Tech mengeluarkan empat model litografi tanpa topeng khusus, setiap satu direka bentuk untuk domain pembuatan dan profil geometri tertentu. Jadual di bawah menggariskan spesifikasi teknikal rasmi:
=================================================================================================================
CD Model (Terpencil) Garis/Ruang Min (1:1) Fokus Bilik Bersih Domain Optik Utama
=================================================================================================================
MLM 100 0.8 μm 1.0 μm Seimbang Tinggi-DOF Direct Write Am R&D, MEMS, Microfluidics
MLM 200 0.4 μm 0.8 μm Baik-Spot Sub-Penghantaran Mikron GaN/GaAs RF, Power HEMT, Waveguides
MLM 400 1.0μm 2.0 μm Lebar-Medan Tinggi-Throughput Enjin Tebal Rintangan, RDL Pembungkusan, IC Kuasa
MLM 500 0.5 μm 0.5 μm Tinggi-NA Symmetric Contrast Enjin Kisi Optik Padat, MEA, Kristal
=================================================================================================================
3.1 Nice-Tech MLM 100: The Cleanroom Workhorse (CD: 0.8 μm|L/S: 1.0 μm)
MLM 100 direka bentuk sebagai tulang belakang serba boleh untuk-pusat pembuatan nano universiti berbilang pengguna, makmal R&D industri dan kemudahan prototaip MEMS.
• Profil Geometrik: Boleh menyelesaikan ciri terpencil hingga 0.8 μm dan garis berkala padat hingga 1.0 μm.
• Ciri Optik: Beroperasi dengan apertur berangka optik yang dioptimumkan untuk latitud proses yang luas. Ia memberikan Depth of Focus (DOF biasanya > 5 μm hingga 10 μm bergantung pada ketebalan rintangan), menjadikannya memaafkan topografi permukaan substrat dan sedikit tunduk wafer.
• Keserasian Proses: Serasi dengan fotoresists novolac garis i-line / h-positif standard (seperti AZ 1500, AZ 4562, siri Shipley S1800) dan rintangan negatif (SU-8, KMPR).
• Aplikasi Biasa: Saluran aliran mikrobendalir, mikrocip bioperubatan, pecutan julur, resonator akustik dan struktur ujian tahap wafer{0}}piawai.
• Syor Perolehan: Pilih MLM 100 jika bilik bersih anda mengendalikan pelbagai projek, memproses ketebalan rintangan sederhana (1.5 μm hingga 5 μm) dan tidak memerlukan sub-saiz ciri separuh-mikron.
3.2 Nice-Tech MLM 200: Precision for Sub-Peranti Mikron (CD: 0.4 μm|L/S: 0.8 μm)
MLM 200 adalah tujuan-dibina untuk bilik bersih yang menghasilkan-frekuensi tinggi, semikonduktor kompaun dan peranti optoelektronik ketepatan di mana ciri terpencil sub-mikron adalah yang terpenting.
• Profil Geometrik: Mencapai dimensi kritikal 0.4 μm untuk garisan terpencil, pintu pagar dan jalur sesentuh, dengan keupayaan garis/ruang padat pada 0.8 μm.
• Ciri Optik: Menggunakan optik pembentuk rasuk khusus-dan kawalan dos pendedahan yang tepat untuk menajamkan kontras tepi pada struktur terpencil.
• Keserasian Proses: Berprestasi luar biasa dengan fotoresist kontras nipis, tinggi-(0.5 μm hingga 1.2 μm ketebalan) seperti AZ 6112, AZ 703 atau SPR 700. Memerlukan kawalan fokus yang lebih ketat daripada MLM 100.
• Aplikasi Biasa: T-pencoran get dan cendawan untuk peranti HEMT Gallium Nitride (GaN) dan Gallium Arsenide (GaAs), pengesan foto-kelajuan tinggi, penghalaan pandu gelombang optik dan struktur angkat logam terpencil sub-mikron{3}}luar.
• Syor Perolehan: Pilih MLM 200 jika proses anda memerlukan corak gerbang terpencil atau garisan kritikal antara 0.4 μm dan 0.8 μm tanpa memerlukan tatasusunan berkala padat di bawah 0.8 μm.
3.3 Bagus-MLM 400 Teknologi: Tinggi-Terus & Tebal-Pemprosesan Tahan (CD: 1.0 μm|L/S: 2.0 μm)
MLM 400 disesuaikan untuk kemudahan yang mengutamakan daya pemprosesan pendedahan,-pemprosesan kawasan yang besar dan keserasian dengan photoresist ultra-tebal.
• Profil Geometrik: Dikonfigurasikan untuk CD terpencil 1.0 μm dan garis/ruang minimum 2.0 μm.
• Ciri Optik: Menggunakan medan unjuran optik yang lebih besar dan-kedalaman-tinggi-kereta optik fokus. DOF yang dilanjutkan (selalunya > 20 μm hingga 50 μm dalam rintangan tebal) memastikan cahaya menembusi secara mendalam melalui filem tebal tanpa merendahkan sudut dinding sisi.
• Kelebihan Throughput: Oleh kerana setiap bingkai optik meliputi kawasan pendedahan yang lebih luas, masa menulis wafer adalah jauh lebih cepat daripada pada alatan resolusi-halus. Mendedahkan wafer 100 mm atau 150 mm penuh pada MLM 400 boleh diselesaikan dalam sebahagian kecil daripada masa yang diperlukan oleh sub-sistem mikron.
• Keserasian Proses: Sesuai untuk -fotoresist filem tebal (10 μm hingga 100 μm SU-8, AZ 4562, AZ 9260, polimida, BCB).
• Aplikasi Biasa: Lapisan Pengagihan Semula (RDL) pembungkusan lanjutan, -pembungkusan skala cip peringkat wafer (WLCSP), bar bas semikonduktor kuasa semasa tinggi{1}}, acuan induk mikrobendalir, acuan penyaduran tebal dan MEMS mikromesin pukal.
• Syor Perolehan: Pilih MLM 400 jika ciri anda Lebih Besar daripada atau sama dengan 1.0 μm, proses anda menggunakan salutan rintangan tebal, atau daya pemprosesan wafer tinggi adalah keutamaan komersial utama anda.
3.4 Bagus-MLM 500 Teknologi: Simetri Tinggi-Resolusi Ketumpatan (CD: 0.5 μm|L/S: 0.5 μm)
MLM 500 ialah sistem utama Nice-Tech untuk menuntut fabrikasi penderia berkala mikro-mikronik, fotonik dan padat.
• Profil Geometrik: Menyampaikan CD terpencil 0.5 μm yang seimbang bersama-sama 0.5 μm padat 1:1 garis/angkasa padang (1.0 μm padang parut penuh).
• Ciri Optik: Menggabungkan optik unjuran NA tinggi-dengan modulasi micromirror digital lanjutan dan interpolasi tepi sub-piksel. Sistem ini menyekat cuping sisi pembelauan-dan menghalang pengumpulan cahaya sesat dalam parit sempit.
• Keserasian Proses: Memerlukan kawalan suhu bilik bersih yang ketat (±0.5 darjah ) dan rintangan kontras-nipis dan tinggi (0.3 μm hingga 0.8 μm).
• Aplikasi Biasa: Kisi pembelauan sub-mikron, bahan metamaterial optik, pandu gelombang hablur fotonik, transduser gelombang akustik permukaan padat (SAW), biosensor interdigitated dan tatasusunan mikroelektrod (MEA).
• Syor Perolehan: Pilih MLM 500 jika seni bina peranti anda sangat bergantung pada struktur berkala yang padat dan padat pada skala separuh-mikron.
4. PERDAGANGAN KEJURUTERAAN TERPERINCI
Apabila memilih antara MLM 100, 200, 400 dan 500, jurutera juga mesti mempertimbangkan tiga parameter sekunder kritikal yang secara langsung mempengaruhi operasi bilik bersih harian:
4.1 Kelajuan Pendedahan (Throughput) vs. Resolusi
Dalam sebarang-alat litografi tulis langsung, terdapat pertukaran fizikal asas-antara kelajuan pendedahan dan resolusi optik:
• Resolusi halus (seperti dalam MLM 200 dan MLM 500) memerlukan saiz piksel unjuran yang lebih kecil dan pembesaran yang lebih tinggi, bermakna lebih sedikit milimeter persegi wafer terdedah sesaat untuk kuasa sumber cahaya tertentu.
• Resolusi santai (seperti dalam MLM 400) menggunakan piksel unjuran yang lebih besar, meliputi kawasan pendedahan yang lebih besar bagi setiap denyar digital dan secara mendadak meningkatkan daya pemprosesan wafer.
Peraturan Amalan: Jangan sekali-kali membeli resolusi lebih daripada yang diperlukan oleh seni bina peranti anda. Jika garisan logam paling ketat anda ialah 2.5 μm, memilih alat 0.4 μm tidak semestinya akan memanjangkan masa pendedahan daripada minit kepada jam setiap wafer.
4.2 Kedalaman Fokus (DOF) dan Ketebalan Tahan
Persamaan kedalaman fokus Rayleigh mengawal semua sistem unjuran:
DOF=k₂ × λ / (NA)²
Perhatikan bahawa DOF berkurangan dengan kuasa dua Apertur Berangka. Lensa-NA tinggi yang diperlukan untuk resolusi sub-separuh-mikron menghasilkan kedalaman fokus yang sempit (selalunya < 1.5 μm). Jika seorang jurutera cuba memutar rintangan SU-8 setebal 15 μm pada alat NA tinggi, bahagian atas rintangan mungkin berada dalam fokus manakala bahagian bawah menjadi sangat kabur, menghasilkan dinding sisi berpotongan rendah atau cerun.
• For thick resists (>10 μm): MLM 400 menyediakan kedalaman fokus yang diperlukan.
• Untuk rintangan standard (1.5 μm hingga 5 μm): MLM 100 menyediakan keseimbangan resolusi dan DOF yang optimum.
• Untuk rintangan ultra-nipis (< 1.0 μm): The MLM 200 and MLM 500 excel at fine line delineation.
4.3 Lapisan-ke-Penjajaran Lapisan & Ketepatan Tindanan
Alat litografi jarang beroperasi secara berasingan; ia membentuk lapisan di atas struktur yang terukir atau berlogam sebelumnya.
• Penjajaran Optik Bahagian Atas: Semua-Model MLM Teknologi Nice menampilkan-mesin beresolusi tinggi-kamera penglihatan yang mampu pengecaman tanda fidusial automatik, mencapai ketepatan lapisan-ke-lapisan lapisan biasanya dalam ±0.5 μm hingga ±0.2 μm.
• Penjajaran Bahagian Belakang: Penting untuk MEMS melalui-rongga wafer, penderia tekanan dan vias peranti kuasa. Tanya tentang konfigurasi kamera optik inframerah (IR) penghantaran atau bahagian bawah-jika proses anda memerlukan pendaftaran-dua belah.
4.4 Kepelbagaian Substrat dan Kelebihan Tanpa Topeng
Tidak seperti penjajar sesentuh tegar atau pelangkah pengurangan yang memerlukan wafer-substrat rata, Nice-Sistem tanpa topeng berteknologi menyediakan keserasian substrat universal:
• Saiz Substrat: Wafer penuh (2-inci, 4-inci, 6-inci, 8-inci dan 12-inci) serta serpihan dadu yang dibelah tidak sekata (sehingga 5 mm × 5 mm).
• Bahan Substrat: Silikon piawai, silika bercantum lutsinar, kuarza, kaca, galium nitrida (GaN), silikon karbida (SiC), galium arsenida (GaAs), litium niobate dan substrat polimer fleksibel.
• Autofokus Dinamik: Penjejakan permukaan optik masa nyata-secara automatik mengimbangi ralat tunduk dan baji substrat, memastikan fokus yang konsisten merentas wafer semikonduktor kompaun yang melencong.
5. CONTOH PENGUJIAN WAFER & PENGESAHAN METROLOGI SEM
Sebelum memuktamadkan pembelian peralatan modal, pembeli teknikal tidak boleh bergantung semata-mata pada helaian spesifikasi yang diterbitkan. Keadaan bilik bersih, formula tahan, dan kimia pembangun berbeza secara meluas antara kemudahan.
Nice-Tech sangat menggalakkan bakal pelanggan menjalankan Ujian Pendedahan Wafer Sampel sebelum mengeluarkan Pesanan Belian. Protokol pengesahan harus menilai lima parameter metrologi teras menggunakan Scanning Electron Microscopy (SEM):
1. Keseragaman Dimensi Kritikal (CDU 3σ): Ukur CD sasaran merentasi sekurang-kurangnya 20 mata merentas wafer (tengah, tengah, tepi) untuk memastikan varians dimensi berada dalam ±5%.
2. Kelegaan Padang Garis/Ruang Padat: Sahkan melalui SEM-keratan rentas bahawa parit 1:1 padat bebas daripada scumming, mikro-bridging atau berdiri-tapak ombak.
3. Sudut Sidewall: Sahkan bahawa profil dinding sisi photoresist melebihi 85 darjah (atau sepadan dengan keperluan proses anda, seperti profil undercut retrograde untuk angkat-off).
4. Line Edge Roughness (LER) & Line Width Roughness (LWR): Periksa imej SEM-pembesaran tinggi-bawah untuk mengesahkan tepi garisan licin, kritikal untuk kehilangan pandu gelombang fotonik dan prestasi get RF.
5. Ketepatan Tindanan: Corak skala vernier ujian pada-lapisan penjajaran sedia ada untuk mengesahkan kebolehulangan pendaftaran merentas kawasan substrat penuh.
6. PRA-SENARAI SEMAK PEROLEHAN: APA YANG PERLU DISEDIAKAN SEBELUM MEMINTA SEBUT HARGA
Untuk menerima konfigurasi petikan dan peralatan yang tepat dan disesuaikan daripada Nice-Pasukan kejuruteraan teknologi, perolehan dan proses hendaklah menyediakan senarai semak teknikal berikut:
[ 1 ] . Spesifikasi Substrat Sasaran:
• Bahan: Silikon, Kuarza, Nilam, GaN, SiC, Kaca atau lain-lain.
• Format: Diameter wafer (cth, 4-inci, 6-inci, 8-inci) atau cip terbelah kecil (cth, 10 mm × 10 mm).
• Keadaan Permukaan: Digilap, berlogam, lutsinar atau tunduk (nyatakan haluan dalam mikrometer).
[ 2 ] . Keperluan Geometri Ciri:
• Dimensi Kritikal Minimum (garisan terpencil, pintu pagar atau lubang sesentuh).
• Garis/Ruang Minimum (keperluan padang tatasusunan padat).
• Toleransi lapisan kritikal (cth, CD sasaran ± 5%).
[ 3 ] . Proses Photoresist:
• Jenis Photoresist: Positif, negatif atau dwi-nada.
• Nama Photoresist: (cth, AZ 5214E, SU-8 2010, Shipley S1813).
• Ketebalan filem sasaran: (cth, 0.8 μm, 2.5 μm, 25 μm).
[ 4 ] . Keperluan Penjajaran & Lapisan:
• Pendedahan satu lapisan atau pendaftaran berbilang-lapisan.
• Kaedah penjajaran: Optik bahagian atas atau inframerah bahagian belakang (IR).
• Ketepatan tindanan sasaran: (cth, < 0.5 μm).
[ 5 ] . Jumlah pengeluaran & Pengeluaran:
• Jumlah wafer yang dijangkakan: (cth, 5 wafer/minggu untuk R&D lwn{3}} wafer/hari untuk pengeluaran perintis).
• Keperluan automasi: Pemuatan substrat manual atau pengendalian kaset separa-automatik.
[ 6 ] . Format Data Reka Letak:
• Fail reka bentuk standard sedia: GDSII, OASIS, DXF atau CIF.
7. KESIMPULAN & LANGKAH SETERUSNYA: PERKONGSIAN DENGAN NICE-TECH
Memilih sistem litografi tanpa topeng yang betul memerlukan pengimbangan CD terpencil, padang garis/ruang padat, kedalaman fokus, ketebalan rintangan dan kelajuan pengeluaran.
• Jika bilik bersih anda memerlukan-persekitaran R&D, MLM 100 menyediakan fleksibiliti yang tiada tandingan dan latitud proses.
• Jika fokus anda ialah sub-ciri terpencil mikron untuk RF dan elektronik kuasa, MLM 200 menyediakan ketepatan CD 0.4 μm.
• Jika kemudahan anda mengendalikan rintangan tebal, pembungkusan lanjutan, atau memerlukan daya pemprosesan maksimum, MLM 400 ialah standard industri.
• Jika aplikasi anda memerlukan susunan berkala 0.5 μm padat 1:1 yang ketat, jeriji atau struktur fotonik, MLM 500 memberikan kecemerlangan optik simetri.
Bersedia untuk menilai reka bentuk anda pada-Sistem Litografi Tanpa Topeng Teknologi?
Lawati Nice-halaman produk rasmi Tech untuk meneroka spesifikasi mesin terperinci:
Hubungi Pasukan Kejuruteraan Aplikasi Kanan kami di dmjsemi.com untuk menyerahkan corak ujian CAD/GDSII anda untuk pendedahan wafer sampel percuma dan pemeriksaan metrologi SEM. Kami akan mengkonfigurasi cadangan peralatan yang direka bentuk khusus untuk pelan hala tuju teknikal dan belanjawan bilik bersih anda.
